ZnSe晶體屬麵心立方結構，其光率體橢球為（wéi）一個球（qiú）體，在光學上（shàng）表（biǎo）現為各向同性。它具有優異的（de）物理（lǐ）與（yǔ）化學性質，可用於製造藍光半導體激光器、光探（tàn）測器件、非線性光學器件、波導調製器等；同時，作為優秀的紅外材料，透過波長為O．5～22“m，特別在10．6肛m處有極好的透（tòu）過率，是紅（hóng）外透鏡、激光窗口、紅（hóng）外熱（rè）像儀和高功率CO。激光器應用（yòng）的首選材料。這些應（yīng）用帶動了（le）znSe晶（jīng）體加工技（jì）術的發展（zhǎn）並對其加工提（tí）出愈來（lái）愈高（gāo）的（de）要求，作（zuò）為紅外材料使用，在（zài）加工中要保證其表麵光潔度和良好的透過率。

znse透鏡（jìng）的基（jī）本參數和技術要求圖1為ZnSe晶體的透過（guò）率曲線。由1圖可知，znSe晶體具有極好的光學特性（xìng），能透過可見和紅（hóng）外光，尤其在紅外光譜區具有高而均勻的（de）光學透過（guò）率。表1給出了ZnSe晶（jīng）體的折射（shè）率砣隨波長A的變化，ZnSe晶（jīng）體的折（shé）射率溫度係數低，適用於製作多光（guāng）譜應用中的光學元件。

圖1 ZnSe晶體的（de）透過曲（qǔ）線

        表l ZnSe晶體折射率隨（suí）波長的變化

 晶體研磨對透（tòu）鏡偏心及光（guāng）潔度的影響

磨（mó）盤材料選用鑄鐵，采用數控車床加工，很好地控製了其麵形精度。在進行粗細磨（mó）工序前，應先將R一140 mm麵（miàn）半徑加工好，加工時中心磨到即可。盡量少去（qù）厚度或不去厚（hòu）度，而（ér）且要注意偏心，偏心量大（dà）致不應超過0．20～o．30 mm。

拋光對零（líng）件表麵（miàn）光潔度的影響

ZnSe晶體的（de）拋光是機械、物理和化學作用的共同（tóng）結果。在拋光過程中，拋光劑具有（yǒu）2種（zhǒng）作用，即機械作用與（yǔ）膠體化學作用，這2種作用是同時出（chū）現的（de）。在拋光的初始階段，是拋光劑去除表麵凹凸（tū）層的過程，因而呈現出新的拋光麵，這時主要是靠機械作用（yòng）。但呈現出（chū）新的拋光麵以後，拋光（guāng）劑顆粒開始與（yǔ）材料表麵進行分子接觸，由於（yú）拋光劑具（jù）有一定的化學活性，即（jí）具有強烈的晶（jīng）格缺（quē）陷(實踐證明，具有晶格缺（quē）陷的拋光劑的拋光效率是比較高的)，晶格缺陷處的各質點的結合能量比較大，易於通過化學吸附作用把材料表麵分子吸附出來，在拋光劑與材料表麵分子接觸中材料即被拋光。

加工過程中需要注（zhù）意的問題

嚴格說來（lái），晶（jīng）體加工是一種有害作業，因此，應該重視加（jiā）工者的健康防護問題。防護上大體（tǐ）可以采

取以下措施：

(1)有毒晶體的加工應集中在有良好通風排毒設備的專門房（fáng）間裏，機床工（gōng）作台應有防護罩和排風扇。

(2)為了（le）減少（shǎo）或消除毒物（wù）對人體的傷害，工（gōng）作之（zhī）後必（bì）須認真洗手，用刷子將（jiāng）雙手仔細擦洗幹淨。

(3)嚴禁在有（yǒu）毒的工作（zuò）間內吸煙、進食，要定時呼吸新鮮空氣。

加工中采用雙氧水溶劑浸（jìn）泡Al。O。拋光劑，軟化了AlzO。磨料，大大提高了拋光零件的表麵質量，取得了（le）較為理想的效果。同時，為整盤等厚加工設計製作（zuò）的工具既簡單可靠（kào），又保（bǎo）證了零件的精度。