紫外曝光機，也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光係統（tǒng）、光刻係統等，是印（yìn）刷線路板（PCB）製作工藝中的（de）重要（yào）設備。

一般（bān）的光（guāng）刻工藝要經曆矽片表麵清洗烘幹、塗底、旋塗光刻膠（jiāo）、軟（ruǎn）烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

其主要性能指標有：支持基片的尺寸範圍，分辨（biàn）率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生（shēng）產效（xiào）率等。

 

紫外曝光機（jī）鏡片 係統組（zǔ）成及其工作（zuò）原理：

傳統曝光（guāng）機（jī）光學係統主要由光（guāng）源（高壓球形（xíng）汞（gǒng）燈）、橢球麵反光杯、冷光鏡、透射式（shì）複眼光學透鏡陣列、二向色鏡和球（qiú）麵平行光（guāng）反射鏡組（zǔ）成。

其中，光刻機內部的（de）反射（shè）鏡（jìng）會積聚來自 EUV 光源的錫碎屑。光源發出的光被橢球麵反光杯聚焦後，經冷光鏡反射到複眼透鏡陣列場（chǎng）鏡，從投影鏡出射的光到達（dá）二（èr）向色鏡，

光譜中的紫外部分被50%透射，50%反射後，到達兩塊（kuài）對稱分布的大麵積球麵平行（háng）反光鏡，被準直反射到曬板上對PCB板進行（háng）曝光（guāng）。

 

“EUV光刻機的光源是極紫外光，所以其實（shí）際（jì）上叫做極紫（zǐ）外線光刻機。而蔡定平教授團隊研發的新型真（zhēn）空紫外非線性超構透鏡，能夠產生和聚焦極紫外光，並能夠將波長395nm轉化為197nm 。聚（jù）焦光點的功率（lǜ）密度比超構透鏡高了21倍。”

據悉，這一突破能夠應用於EUV光刻機之中，幫助國產光刻機突破技術瓶頸。並（bìng）且，這一（yī）技術（shù）還屬於EUV光刻（kè）機的核心技（jì）術，對（duì）實現EUV光刻機自主（zhǔ）有（yǒu）重（chóng）大意義。

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